5月10日双良节能涨近9%，领涨SiC概念

5月10日午间收盘数据显示，SiC概念报涨，双良节能（11.48，0.93，8.82%）领涨，斯达半导(337.22，25.72，8.26%)、北方华创(226.5，16.2，7.7%)、新洁能(91.52，4.91，5.67%)等跟涨。

相关SiC概念股有：

1、双良节能：2019年，江苏双良新能源装备有限公司与江苏卓远半导体有限公司就“集成电路级大尺寸高性能单晶硅的生长智能装备技术的开发合作”、“第三代半导体碳化硅晶体批量生产项目的量产化技术合作”签署战略合作协议。此次双良新能源与卓远半导体强强联合,旨在以国家大力发展半导体产业、地方产业创新升级为契机,通过战略合作实现双方优势互补,填补国内大尺寸单晶硅生产设备领域空白,并推动第三代半导体碳化硅(SiC)晶体量产化,实现国内半导体产业在高端装备制造领域自主化取得新突破。根据工商信息显示双良节能全资子公司江苏双良节能投资有限公司已于2021年3月4日参股江苏卓远半导体。

2、斯达半导：国内IGBT半导体龙头，全球IGBT模块市场排名第七，是国内唯一进前十的企业，市场优势地位显著。从纯设计厂向IDM转型，以保证产能供应，产品主要用于工控与电器领域。拟定增募资35亿元购买光刻、显影、蚀刻等设备盖厂，设计产能36万片功率半导体，用于高压特色功率芯片和碳化硅，以尽快推出车规级SiC芯片，以完善车用电源市场的产品布局。

3、北方华创：北方华创多年来精耕MEMS领域，攻关前沿半导体技术，能够为5G网络建设提供多样化的国产装备及工艺解决方案。NAURAHSE系列刻蚀设备针对MEMS硅刻蚀工艺研发，已通过多年量产验证，性能稳定；GSEC200刻蚀设备针对GaN/GaAs/IR红外传感等III-V和II-VI材料研发，刻蚀材料范围广，兼具低速低损伤的原子层（ALE）刻蚀能力；GDEC200专为SiC背部通孔刻蚀、SiC栅槽刻蚀设计，工艺兼容性良好，能够完全满足器件制程要求。

数据由股涨停提供，仅供参考，不构成投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。